Pentcene/SiO_2表面随温度变化的AFM研究  

AFM analysis for the temperature-dependent surface morphology of pentacene/SiO_2 heterjunction

作　　者：陶春兰[1] 董茂军[1] 张旭辉[1] 张福甲[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃兰州730000

出　　处：《功能材料》2008年第6期881-882,共2页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60676033)

摘　　要：以热氧化硅片为衬底,以溶液溶解和真空蒸镀两种方法,在不同温度下制备有机半导体材料并五苯(pentacene)薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,讨论了影响薄膜质量的各种因素。The thin films of organic semiconductor pentacene were fabricated by tow ways on SiO2 layer by dry oxidation, which were solution process and thermal evaporation. Using the atomic force microscopic images analyzed the surface morphologies and discussed influences of fabricate the pentacene thin-films.

关 键 词：pentcene/SiO2 AFM 表面形貌 

分 类 号：O484[理学—固体物理]