聚合物掺杂的高亮度磷光有机电致发光器件  

Polymer Doped High Brightness Phosphorescent Organic Light-Emitting Diodes

作　　者：唐晓庆[1] 于军胜[1] 李璐[1] 王军[1] 蒋亚东[1] 

机构地区：[1]电子科技大学光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

出　　处：《物理化学学报》2008年第6期1012-1016,共5页Acta Physico-Chimica Sinica

基　　金：国家杰出青年基金(60425101);“教育部新世纪优秀人才计划(NCET-06-0812)”;“电子科技大学中青年学术带头人计划”(060206)资助

摘　　要：采用新型贵金属铱的配合物(pbi)2Ir(acac)作为客体磷光发光材料,分别以4%和5%(w)的浓度掺杂于聚合物主体材料poly(N-vinylcarbazole)(PVK)中,利用旋涂工艺制备了结构为indium-tin oxide(ITO)/PVK:(pbi)2Ir(acac)/2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)/Mg∶Ag的有机电致发光器件,对磷光材料(pbi)2Ir(acac)的紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱以及聚合物掺杂的磷光器件的电致发光特性进行了研究.结果表明,两种掺杂浓度的器件均具有8V左右的启亮电压,器件在启亮后的最大流明效率分别为1.53和1.31lm·W-1,最大亮度分别为11210和9174cd·m-2;同时,器件的电致发光光谱与色坐标均不随偏置电压和客体掺杂浓度的变化而改变,具有稳定的色纯度.分析了主体材料PVK到磷光客体(pbi)2Ir(acac)的能量转移机制,并探讨了随着器件电流密度和客体掺杂浓度的逐渐增加,器件流明效率的变化趋势.Polymer doped organic light-emitting diodes （OLEDs） with the structure of indium-tin oxide （ITO）/poly （N-vinylcarbazole） （PVK）：（pbi）2Ir（acac）/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l,10-phenan throline （BCP）/Mg：Ag were fabricated. The light-emitting layer was processed by doping noble metal iridium complex （pbi）2Ir（acac） into a PVK matrix with the concentrations of 4% and 5%（w）, using spin coating method. Through characterizing the UV-Vis absorption spectrum, photoluminescence （PL） spectrum of the （pbi）2Ir（acac） and the electroluminescence （EL） properties of the devices, the main energy transfer mechanisms from phosphorescent material （pbi）2Ir（acac） to PVK were discussed. The device performance was investigated at different current densities and doping concentrations. The results showed that the devices with above two different doping concentrations have the maximum brightness of 11210 and 9174 cd·m^-2 and maximum luminance efficiency of 1.53 and 1.31 lm·W^-1, respectively. The EL spectrum and the Commissions Intemationale de 1 ＇Eclairage （CIE） coordinates were independent on the variation of bias voltage and the doping concentration, indicating a stable color purity.

关 键 词：有机电致发光器件 磷光 铱配合物 聚合物掺杂 能量传递 直接载流子俘获 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]