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作 者:高洁[1] 熊曹水[1] 汤业庆[1] 朱弘[1] 皮雳[1] 朱警生[1] 周贵恩[1] 张裕恒
机构地区:[1]中国科学技术大学结构分析开放实验室
出 处:《科学通报》1997年第19期2069-2073,共5页Chinese Science Bulletin
基 金:中国科学院项目(KJ951-A1-401);安徽省自然科学基金
摘 要:钙钛矿型掺杂氧化物中的巨磁阻(CMR)效应已经引起了基础理论研究和新材料应用的 极大关注.实验表明:薄膜样品中出现大的CMR效应和高的转变温度Tc与制备条件有着密切的关系.由于晶粒尺寸效应和膜的外延性对CMR有重要影响,因此,制备高质量的薄膜,研究其结构特征,对掺杂锰氧化物的巨磁阻效应机制的理解和实际应用都是十分必要的.我们用直流溅射法在(001)LaAlO3单晶基片上制备了La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)单晶外延薄膜,并测量了磁电阻效应.本文采用 X射线衍射及极图研究了 LSMO薄膜的外延性以及膜与衬底的晶格匹配关系.1 衬底晶胞转换 实验采用(001)LaAlO3单晶作衬底.LaAlO3单晶属于三方晶系,然而从LaAlO3单晶获得的粉末X射线衍射看出:LaAlO3在2 θ=70°以前时,衍射峰不出现分裂(70°以后开始分裂),表明三方晶胞的LaAlO3可以看作是由立方晶胞沿体对角线方向轻微(“压缩”或“拉长”而得到的,先将六方晶胞(a=0. 536 5 nm, c= 1.311 nm)转换为三方晶胞(菱面体晶胞,a=0.536 5 nm),则 LaAlO3取六方晶胞时的(012)面转换成三方晶胞的(110)面。
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