检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:贾艳敏[1] 罗豪甦[1] Or Siu Wing 汪尧进[1] Chan Helen L W
机构地区:[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海201800 [2]香港理工大学应用物理系
出 处:《科学通报》2008年第10期1172-1176,共5页Chinese Science Bulletin
基 金:国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03Z107);中国科学院知识创新工程(编号:KGCX2-YW-111-7);国家自然科学基金(批准号:50432030,50777065,50602047);上海市技术标准专项(批准号:06DZ05016);中国科学院上海硅酸盐研究所创新基金(批准号:SCX0608)资助项目
摘 要:给出了Terfenol-D/PMN-PT/Terfenol-D(TD/PMNT/TD)和PMNT/TD/PMNT两种层状复合材料的磁电和逆磁电响应的测试方法和测试结果.这两种复合结构的优化直流偏置磁场大小均为350Oe(1Oe=79.58A/m).在1kHz频率下,这两种复合材料的最大磁电电压系数分别为384mV/Oe和158mV/Oe,最大逆磁电系数分别为118mG/V和162mG/V(1G=10-4T).另外研究了这两种复合材料在谐振频率下的磁电响应.通过对两种复合结构的比较得知,磁致/压电/磁致复合结构具有好的磁电响应;而压电/磁致/压电复合结构具有好的逆磁电响应.这一结果有助于优化设计高性能压电/磁致复合磁电材料.
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