基于功率MOS型场效应管的4kV纳秒脉冲源  被引量:5

4kV Nanosecond Pulser Using Metallic Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor

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作  者:陈静[1] 陈敏德[1] 

机构地区:[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621900

出  处:《信息与电子工程》2008年第3期230-232,共3页information and electronic engineering

摘  要:为了用固体开关器件替代国外氢闸流管,开展了大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组合电路研究。利用功率MOS型场效应管的开关原理,提出了对功率MOS型场效应管的栅极"过"驱动技术,提高了功率MOS型场效应管的开关速度,研制出基于功率MOS型场效应管的输出脉冲幅度大于4 kV,前沿小于10 ns,脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲驱动源。For using the solid switch device instead of hydrogen thyratron, research has been done in high-power high voltage semiconductor switch and high speed high voltage combination circuits. Based on switch principle of power MOSFETs, the over driving technology to power MOSFETs is put forward to optimize switch characteristics. Pulses with amplitude larger than 4 kV, rise time less than 10 ns, pulse width more than 100 ns can be obtained.

关 键 词:“过”驱动 功率MOS型场效应管 纳秒 高压 宽脉冲 

分 类 号:TN386[电子电信—物理电子学]

 

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