量子点光电子器件及其研究进展  

Progresses of Quantum Dot-based Optoelectronic Devices

作　　者：彭英才[1,2] ZHAO Xinwei 马蕾[1] 

机构地区：[1]河北大学电子信息工程学院,河北保定071002 [2]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083 [3]Department of Physics, Tokyo University of Science, Tokyo, Japan [4]中国科学院微电子学研究所纳米材料与纳米器件实验室,北京100029

出　　处：《固体电子学研究与进展》2008年第2期235-240,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：河北省自然科学基金(503125);中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放课题资助项目

摘　　要：作为未来新型光电子器件的有源区材料,采用能带工程形成的各种半导体量子点,以其所具有的许多独特光电特性而日益显示出潜在的重要应用。着重评述了量子点激光器、量子点红外光探测器和量子点单光子发射器件在近3至5年内取得的最新进展,并对存在的问题进行了分析和讨论。最后,提出了进一步改善器件性能的几种可能途径。Semiconductor quantum dots formed by energy-band engineering have potential applications in the novel optoelectronic devices as an active region materials because of their unique optoelectronic properties. In this paper, we review new progresses of the quantum-dot lasers, quantum-dot infrared photodetectors and quantum-dot single photon-emission devices in the recent 3-5 years, and some existing problems are also discussed. Finally, we point out some approaches that can improve the performances of such devices.

关 键 词：能带工程 半导体量子点 光电子器件 光电子产业 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]