电沉积硅烷分子印迹膜修饰电极的制备及其应用  

Electrodeposition of Sol-gel Imprinted Films Modified Electrode and its Application for 3,4-Dihydroxybenzoic Acids Determination

作　　者：王桂林[1] 王荣[1] 吴霞琴[1] 章宗穰[1] 

机构地区：[1]上海师范大学生命与环境科学学院化学系,上海200234

出　　处：《电化学》2008年第2期130-134,共5页Journal of Electrochemistry

基　　金：国家自然科学基金(20503016);上海市科委启明星计划(07QA14044)资助

摘　　要：以3,4-二羟基苯甲酸作模板分子,在玻碳电极表面恒电位沉积四甲氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷,经无水乙醇将模板分子洗脱,制得硅溶胶-凝胶分子印迹膜电极.该电极能有效地抑制电化学氧化过程中3,4-二羟基苯甲酸的电聚合及其同分异构体2,4-二羟基苯甲酸对测定的干扰.实验表明,该修饰电极对3,4-二羟基苯甲酸测定的线性浓度范围为1.0×10^-5-8.0×10^-4mol·L^-1,浓度检测下限为5.0×10^-6mol·L^-1.The sol-gel molecularly imprinted films modified glassy carbon electrode was prepared by electrodeposition of tetramethoxysilane （TMOS） and phenyltrimethoxysilane （PTMOS） with chronoamperometry in the presence of template molecules 3,4-dihydroxybenzoic acid （3,4-DHBA） followed by extraction with ethanol. The modified electrode could successfully avoid the polymerization of oxidized 3,4-DHBA and the interference of 2,4-DHBA. A linear Concentration response curve was obtained from 1.0 × 10^-5 mol · L^-1 to 8.0 ×10^ -4 mol · L^-1, with the detected concentration limit of 5.0 × 10^-6 mol · L^-1.

关 键 词：3 4-二羟基苯甲酸 2 4-二羟基苯甲酸 分子印迹技术 硅溶胶-凝胶分子印迹膜 修饰电极 

分 类 号：O657.1[理学—分析化学]