IDT7164 在 ^(40)Ar 束流中的单粒子效应  

MEASUREMENT OF IDT7164 SINGLE EVENT UPSET(SEU) IN ARGON BEAMS OF 25 MeV/u

作　　者：王丽君[1] 孙辉先[1] 陈小敏[1] 汪大星[1] 候明东[2] 马峰[2] 刘杰[2] 

机构地区：[1]中国科学院空间科学与应用研究中心 [2]中国科学院近代物理研究所

出　　处：《原子能科学技术》1997年第3期264-266,共3页Atomic Energy Science and Technology

摘　　要：在氩束流中，测试了ＩＤＴ７１６４芯片的单粒子事件翻转效应，记录了不同程序运行中的实验结果，由此计算了芯片的截面。The measurement of IDT7164 SEU in Argon beams of 25 MeV/u was made.The result of experiment in different programs are recorded.The cross section of the chip is calculated.

关 键 词：加速器 单粒子事件 芯片 截面 集成电路 航天器 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学] V443[航空宇航科学与技术—飞行器设计]