应用第一性原理对CdSe和HgTe团簇结构和电子性质的研究  

First-principle study on the structural and electronic properties of CdSe and HgTe clusters

作　　者：李春霞[1] 党随虎[1] 张可言[1] 王新强[2] 

机构地区：[1]长江涪陵师范学院物理学与电子信息工程系,涪陵408003 [2]重庆大学物理学院,重庆400044

出　　处：《原子与分子物理学报》2008年第3期542-546,共5页Journal of Atomic and Molecular Physics

基　　金：长江师范学院院级重点学科基金[2003148];江师范学院基金[07Jky42];重庆市教委研究项目基金[KJ081307]

摘　　要：应用密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,对(HgTe)n和(CdSe)n团簇的基态结构、能隙、结合能等进行了计算,并对两种团簇的能隙、结合能随尺寸的变化关系进行了比较.In this paper, by using the first-principles method based on density functional theory within generalized gradient approximation（GGA） （DMOL^3 code）, we calculated the structures of the ground states of Ⅱ -Ⅵ semiconductor （CdSe） n and （HgTe） n （ n = 1 - 8） clusters, the highest occupied molecular orbital-lowest unoccupied molecular orbital gaps, binding energies etc.

关 键 词：(CdSe)n和(HgTe)n团簇 基态结构 结合能 能隙 

分 类 号：O561[理学—原子与分子物理]