移动磁场用于从熔体中生长晶体：从基础研究到工业生产  

作　　者：邓志杰（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2008年第8期5-6,共2页Information of Advanced Materials

摘　　要：从熔体中生长大尺寸晶体的主要问题之一是存在于熔体中的对流扰动，甚至是湍流，这种湍流引起生长速率的剧烈起伏而造成组分不均匀、生长界面上的错取向成核，甚至造成孪生（如像在Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体中那样）。为此，就利用了稳定磁场或可变磁场来阻尼熔体中的湍流。

关 键 词：移动磁场 生长速率 熔体 工业生产 基础研究 晶体 Ⅱ-Ⅵ族化合物 生长界面 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] TF345[理学—物理]