厚膜用铂银导体性能研究  

作　　者：董永平[1] 潘英[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第43研究所,合肥230022

出　　处：《混合微电子技术》2008年第2期15-20,共6页Hybrid Microelectronics Technology

摘　　要：本文主要介绍厚膜用铂银导体的主要性能，以及在稳恒电场环境下可能的电迁移和离子迁移现象试验结果，另外对铂银导体的表面成分进行了分析，并对其使用提出了建议。

关 键 词：厚膜 铂银导体 电迁移 离子迁移 

分 类 号：O441.1[理学—电磁学] TP212[理学—物理]