低介电常数绝缘介质α-SiCOF薄膜及其制备方法  

机构地区：[1]复旦大学

出　　处：《表面技术》2008年第4期17-17,共1页Surface Technology

摘　　要：一种低介电常数绝缘介质α-SiCOF薄膜（非晶硅碳氧氟薄膜）及其制备方法。现有该类产品介电常数较高、薄膜漏电流密度大、介电强度和电学稳定性不理想，且生产成本偏高。本发明用等离子增强化学气相淀积装置制备了低介电常数绝缘介质α-SiCOF薄膜，主要原料是多氟环氧烷、正硅酸乙酯、等离子激发气体。

关 键 词：低介电常数 制备方法 绝缘介质 等离子增强化学气相淀积 薄膜 漏电流密度 电学稳定性 正硅酸乙酯 

分 类 号：TN41[电子电信—微电子学与固体电子学] TM595[电气工程—电器]