一种测定MCT单晶表面损伤层厚度的方法——MCT多晶化形变研究之二  

作　　者：唐家钿 杨雄超[1] 顾里平[1] 朱惜辰[1] 阚家德[2] 袁波[2] 莫威[2] 

机构地区：[1]昆明物理研究所 [2]云南大学实验中心

出　　处：《红外技术》1990年第5期36-39,共4页Infrared Technology

摘　　要：介绍在对碲镉汞单晶片进行表面损伤的研究中观察到研磨会导致单晶片的多晶化和形变织构。应用X射线与单晶和多晶体的互作用原理,测定了多晶化形交层的厚度。

关 键 词：碲镉汞 表面损伤 厚度 测定 MCT 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]