Hg_(1-x)Cd_xTe的过热电子效应  

HOT ELECTRON EFFECT IN Hg_(1-x)Cd_xTe

作　　者：陈永平[1] 郑国珍[2] 龚雅谦 郭少令[2] 陈建湘[2] 汤定元[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室,上海200083

出　　处：《红外研究》1990年第4期293-299,共7页

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：研究了组分x=0.18～0.50的N-Hg_(1-x)Cd_xTe样品在0.3～4.2K低温区和0～7T磁场强度下的过热电子效应,结果表明过热电子效应强烈依赖于样品的组份、电学参数以及材料的晶体质量。The hot electron effect in a number of N-type Hg_(1-x)Cd_xTe samples with different compositions (x=0.18～0.50) is investigated at low temperatures 0.3～4.2 K and under magnetic fields 0～7 T. Nonlinear Ⅰ-Ⅴ relations are observed. The experiment results denote that the hot electron effect strongly depends on the composition, the electron conoentration, mobility and even the orystal quality of the samples.

关 键 词：过热电子效应 HG1-XCDXTE 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]