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机构地区:[1]陕西科技大学电气与信息工程学院,陕西西安712021 [2]西安交通大学电子与信息工程学院,陕西西安710049
出 处:《液晶与显示》2008年第4期484-488,共5页Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays
基 金:国家高技术研究发展计划("863"计划)资助项目(No2001AA3130090);陕西省教育厅专项研究基金资助项目(No07JK188)
摘 要:基于隧穿效应的双势垒模型,采用Sol-Gel法在ITO玻璃基底上制备了SiO2涂层碳纳米管阴极,利用SEM对阴极的形貌、结构进行分析,并对场发射性能、发射稳定性与发光特性进行研究,获得了发射电流高,稳定性良好的阴极。测试结果表明:SiO2质量分数为20%时阴极具有比较高的发射电流及较好的场发射稳定性能;阴极开启场为1.71V/mm,在场强为2V/mm时,发射电流密度为65μA/cm2;发射电流在3h内,波动小于3%。低成本丝网印刷制备的该阴极,适合于不同尺寸器件的冷阴极。A new SiO2 coating CNTs cathode prepared by Sol-Gel process was developed based on the theory of double-barrier model. The morphological of composite cathode was characterized by scanning electronic microscopy (SEM), and the field emission and stability were investigated in details. In this study, the good cathode with stable emission property was obtained. For the CNTs cathode with optimized SiO2 content (20%), the current density at the electric field 2 V/μm is 56μA/mm^2 , the turn-on field of the CNTs cathode is about 1.71 V/μm. The fluctuation of emission current is less than 3% in 3 h measurements. Therefore, this composite cathode is suitable for using as a cold cathode with high current density due to its good stability and low cost.
分 类 号:TN27[电子电信—物理电子学] O484[理学—固体物理]
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