Preparation of (SiFe) C DMS Based 4H-SiC Substrate  

基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备(英文)

作　　者：姜岩峰[1] 王建平[2] 

机构地区：[1]北方工业大学信息工程学院微电子中心,北京100041 [2]美国明尼苏达大学电子与计算机工程系微磁信息技术中心

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第8期1436-1440,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：北京市属市管高校拔尖创新人才计划;北京市科技新星计划(批准号:2005B01)资助项目~~

摘　　要：A diluted magnetic 4H-SiC has been prepared by implanting Fe ions into the substrate. Its Curie temperature reaches as high as 320K and its technology is compatible with current IC. Moreover, the process includes three annealing steps,named HNH annealing in this paper. Each step during this annealing has been analyzed. Comparisons have been made with different Fe concentrations and experimental results demonstrate that when the concentration of Fe is 0. 051, the Curie temperature is the highest. According to measurements, some explanation of this phenomenon is given.研究了基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备方法,不同于其他人采用的MBE或MOCVD生长的方法,用离子注入的方法进行材料制备,能够与现有的集成电路工艺相兼容,用这种方法所对应的样品的居里温度320K,高于室温,具有潜在应用的价值.在制备过程中,采用了HNH退火工艺,即退火分为三个阶段,每个阶段对应不同的退火气氛、时间和温度, XRD分析表明,每个阶段都对应不同的结晶结果.另外,对应不同的Fe离子浓度,进行了实验对比,结果表明,当x=0.051的情况下对应最高的居里温度.

关 键 词：SPINTRONICS diluted magnetic semiconductor ANNEALING Curie temperature 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]