用FIB植入和局部闪光灯熔化法制备亚μmmCoSi2结构  

作　　者：张正模 

出　　处：《等离子体应用技术快报》1997年第10期6-7,共2页

关 键 词：集成电路 聚集离子束 离子植入 二硅化钴 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]