808nm半导体激光器的腔面反射率设计  被引量:6

Design of Cavity Facet Reflectivity for 808nm Semiconductor Lasers

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作  者:杜伟华[1,2] 杨红伟[3] 陈国鹰[1] 陈宏泰[3] 李雅静[1,2] 彭海涛[1,2] 

机构地区:[1]河北工业大学信息工程学院 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 [3]中国电子科技集团公司第十三研究所

出  处:《光电工程》2008年第9期41-44,共4页Opto-Electronic Engineering

基  金:国家自然科学基金(60676035);河北省自然科学基金(F2005000084)

摘  要:通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率、内损耗、透明电流密度、模式增益等。根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线。进行腔面镀膜实验,把实验值与计算值相比较,二者相吻合。通过这种腔面反射率设计方法,可以得到半导体激光器的最大功率转换效率,从而使其工作于优化状态下。Material internal parameters, such as internal quantum efficiency, internal loss, transparent current density mode gain and so on, were obtained by P-I test for different cavity length 808nm semiconductor laser diodes. The relation between cavity facet reflectivity and power conversion efficiency was analyzed, and the relation curves were acquired by the design of cavity facet reflectivity according to these internal parameters. Then, we did cavity facet coating experiments. Experimental results are well consisted with the theoretical prediction through comparison. The maximal power conversion efficiency can be achieved through the design of cavity facet reflectivity, and the semiconductor laser diodes can work in an optimal condition.

关 键 词:半导 体激光器 反射率 镀膜 功率转换效率 腔面 

分 类 号:TN248[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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