辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素  

Determination of 23 Elements in Ultra-high Purity Ge by GDMS

作　　者：普朝光[1] 肖绍泽[1] 张震 

机构地区：[1]昆明物理研究所,昆明650223

出　　处：《质谱学报》1997年第4期67-70,共4页Journal of Chinese Mass Spectrometry Society

摘　　要：本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限，是鉴定起统金属或半导体材料纯度（8N）的理想手段。A procedure for determinating 23 elements in ultra-high purity Ge by Glow Dis-charge Mass Spectrometer (GDMS) is reported in this paper. Experiments show thatwith its low detection limit of 10 ppt,GDMS can be used to analyse ultra-trace elementsquantitatively in 7N,even 8N pruity Ge samples.

关 键 词：辉光放电质谱仪 痕量杂质 锗半导体 纯度 

分 类 号：TN304.11[电子电信—物理电子学]