快中子辐照直拉硅中V_2的退火研究  

Investigation of the V_2 defect in fast neutron irradiated Czochralski silicon

作　　者：邓晓冉[1] 杨帅[2] 

机构地区：[1]天津工程师范学院数理与信息科学系,天津300222 [2]天津理工大学理学院,天津300191

出　　处：《天津工程师范学院学报》2008年第3期44-46,共3页Journal of Tianji University of Technology and Education

基　　金：天津工程师范学院科研发展基金项目(KJ0817)

摘　　要：利用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和正电子湮没技术(PAS)对快中子辐照直拉硅中的双空位(V2)的退火行为进行了研究。实验表明,双空位主要通过捕获VO而消失,因V3O与V2有相同的正电子寿命,因此,正电子湮没谱中V2成分比IR吸收谱中V2的消除温度提高大约100℃。The annealing behavior of double-space in the neutron irradiation Czochralski silicon is studied by Fourier transform infrared spectrometer （ FTIR ） technique and positron annihilation spectroscopy （ PAS ） .The experiments show that double-space disappears mainly through the acquisition VO, because V30 and V2 have the same lifetime.Therefore, V2 elements in position annihilation of the spectrum increase about 100℃ than the elimination temperature in V2 IR absorption spectra.

关 键 词：快中子辐照 辐照缺陷 双空位 傅立叶红外吸收光谱(FTIR) 正电子湮没技术(PAS) 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程] TB321