SnO_2薄膜的化学气相淀积 Ⅱ.SnO_2薄膜的结构和气敏性能  

Chemical Vapor Deposition of Thin SnO_2 Films Ⅱ.Structure and Gas Sensitive Character of Thin SnO_2 Films

作　　者：姚光辉[1] 周瑞明[1] 韩杰[1] 陈敏恒[1] 

机构地区：[1]华东化工学院联合化学反应工程研究所技术化学物理室

出　　处：《华东化工学院学报》1990年第3期249-255,共7页

基　　金：自家自然科学基金;编号 2870342

摘　　要：研究了用化学气相淀积方法制备的SnO_2薄膜的组成。晶体结构和气敏性能。发现薄膜为多晶结构,在薄膜生长过程中,(200)、(110)晶面择优生长;薄膜对H_2的气敏灵敏度随温度的升高而增加,并存在一合适的工作温度范围:100～250℃。The chemical composition, crystal structure and gas sensitive character of the thin SnO_2 films by CVD method have been studied. It is discovered that the structure of the film is polycrystalline. These films are prefcrentially orientedin the (200) and (110) direc-tions in growing process. Gas sensitivity of the films to H_2 will increase with increasing temperature within the optimum temperature range 100～250℃

关 键 词：二氧化锡 化学气相淀积 薄膜 

分 类 号：O614.432[理学—无机化学]