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机构地区:[1]西安交通大学
出 处:《半导体光电》1997年第5期346-349,共4页Semiconductor Optoelectronics
基 金:"863"计划
摘 要:采用溶胶-凝胶工艺,以硫脲作为S的来源,在多孔SiO2玻璃中原位生长固溶半导体(ZnxCd1-xS)。利用XRD证实在多孔SiO2玻璃中微晶的存在,并根据衍射图估计微晶尺寸小于10nm。测量了材料的室温荧光光谱,分析表明在多孔SiO2玻璃中微晶结构不是以ZnS·CdS形式存在,而是以ZnxCd1-xS形式的固溶半导体存在。Solid-solution semiconductor(Zn x Cd 1- x S)doped with porous silica glass is prepared by sol-gel technology and in-situ technique using thiourea as the source of sulfide.XRD indicates that there exists microcrystallite in porous silica glass.The size of semiconductor crystallites from XRD patterns is estimated at less than 10 nm.Room temperature luminescence is measured which shows that the structure of solid-solution semiconductor in porous silica glass is in the form of Zn x Cd 1- x S,instead of ZnS·CdS.
分 类 号:TN304.81[电子电信—物理电子学]
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