InGaAsP和GaAlAs半导体激光器稳频放电吸收池的研究  

The Absorption Cells Used in the Frequency Stabilization of InGaAsP and GaAlAs Semiconductor Lasers

作　　者：王瑞峰[1] 蔡伯荣 洪永和 胡渝[1] 任文华 

机构地区：[1]电子科技大学光电子技术系

出　　处：《电子学报》1997年第11期69-71,共3页Acta Electronica Sinica

基　　金：电子科学研究院予研基金

摘　　要：本文报导了我们采用＂光电流＂信号作为频率标准，稳定ＩｎＧａＡｓＰ和ＧａＡｌＡｓ半导体激光器输出光波频率所用的气体放电吸收池的设计与研制结果．We used the optogalvanic signal of a gas absorbtion cell as a frequency Standard to stabilize the frequency of InGaAsP and GaAlAs semiconductor lasers. We reprot mainly the results of the design and development on the absoption cells used.

关 键 词：半导体激光器 频率稳定性 放电吸收池 光源 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]