100GHz带宽的光电导探测器芯片  

100GHz-Bandwidth Photoconductive Detector

作　　者：王纪龙[1] 王云才 徐遵图[2] 

机构地区：[1]太原工业大学应用物理系,太原030024 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第12期942-945,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：瞬态光学技术国家重点实验室开放基金

摘　　要：本文报道了利用共面微带线间的指状交叉型光电导开关，在以蓝宝石为衬底的硅片（SOS）上构造了一种新型的光电探测器．非接触电光取样测量表明，它具有超过100GHz的-3dB带宽．在100fs、25pJ的脉冲激光照射下，产生的电脉冲峰值约为300mV，脉宽（FWHM）为3.3ps．A novel, integerable photoconductive detector chirp is reported. It has an intedigital structure and integrated into a coplanar transmission line on O ion-irradiated sillicofl on sapphire (SOS) substrate. Its response time is 3. 3ps measured by external electrooptic sampling system and the -3dB bandwidth point of its freguency response is over 100GHz.

关 键 词：光电导探测器 芯片 MSM 共面微带型 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]