电子传输层中掺杂Ir(ppy)_3改善白光OLED的效率  

Improved Efficiency of White OLED Using Doped Ir(ppy)_3 in Electron-transporting Layer

作　　者：丁桂英[1] 姜文龙[1] 汪津[1] 王立忠[1] 王静[1] 常喜[1] 

机构地区：[1]吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000

出　　处：《固体电子学研究与进展》2008年第3期392-395,429,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：吉林省科技发展计划项目(编号:20050523);吉林省教育厅科研计划项目(吉教科合字[2003]第25号;吉教科合字[2004]第54号);四平科技局计划项目(四科合字第2005007号;四科合字第2006008号)

摘　　要：采用真空热蒸镀技术,制备了结构为ITO/NPBX(40nm)/rubrene(0.2 nm)/NPBX(5nm)/DPVBi(30nm)/TPBi:x%Ir(ppy)3(30nm)/LiF/Al的白光器件。利用Ir(ppy)3掺杂到电子传输层TPBi中,在掺杂层中提高了电子的迁移率,调整了空穴和电子的平衡,从而改善了白色有机电致发光器件的效率。当Ir(ppy)3的掺杂浓度为6%时,器件的电流效率最高,在驱动电压9 V时最大电流效率为10.66 cd/A,此时色坐标为(0.36,0.38);当电子传输层TPBi中不掺杂Ir(ppy)3时,白光器件的效率最低,在驱动电压10V时最大电流效率为1.69 cd/A,此时色坐标为(0.31,0.30)。掺杂浓度为6%的白光器件的电流效率是不掺杂白光器件的电流效率的6.3倍。A white organic light-emitting devices （WOLEDs） with improved efficiency using doped electron-transporting layer（ETL） have fabricated by vacuum deposition technique. The devices structure is ITO/NPBX （40nm）/rubrene （0. 2 nm）/NPBX （5nm）/DPVBi （30nm）/ TPBi- x%Ir （PPY）3 （30nm）/LiF/Al. The x% is the doping concentration of Ir （PPy）3. The efficiency of the devices changes with doped concentration of Ir（ppy）3. When x% changes from 0% to 6%, the efficiency of the devices increases with the increasing of x; The efficiency of the devices reduces with the increasing of x in the range of 6% to 8%; When the doping concentration of Ir（ppy） is 6wt%, the maximum luminous efficiency is 10. 66 cd/A at applied voltage of 9V, Commission international De L＇Eclairage chromaticity coordinate is （0.36,0.38）. When the concentration of Ir（ppy）3 is 0wt%, the maximum luminous efficiency is 1.69 cd/A at applied voltage of 10V, CIE chromaticity coordinate is （0.31,0. 30）.

关 键 词：白色有机电致发光器件 掺杂 效率 

分 类 号：TN383[电子电信—物理电子学]