线性光放大器的宽带自发辐射噪声分析  

Analysis of Wideband Amplified Spontaneous Emission Noise in Linear Optical Amplifiers

作　　者：郑狄[1] 潘炜[1] 罗斌[1] 李茜[1] 

机构地区：[1]西南交通大学信息科学与技术学院,成都610031

出　　处：《固体电子学研究与进展》2008年第3期404-409,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10174057;90201011);国家重点实验室开放课题资助项目(2002KF);四川省应用基础科学研究资助项目(03JY029-048-1)

摘　　要：建立含有垂直光场(VCL)的线性光放大器(LOAs)稳态仿真模型,考虑了宽带噪声特性、端面反射和纵向空间烧孔效应。计算了在不同输入信号功率和垂直腔分布布喇格反射器(DBR)反射率下总的输出ASE噪声功率、噪声系数(NF)、前向和后向传输的ASE噪声光子速率和噪声谱分布的变化。结果表明,与传统光放大器(SOAs)相比,在增益非饱和区,LOA有很好的噪声钳制作用,ASE噪声几乎不随信号功率的改变而变化。在增益饱和区,破坏了VCL的钳制作用,NF有所上升,但上升的速率小于SOA。提高DBR反射率,总的输出ASE噪声功率减小,但NF有所增大。A steady-state LOAs model with vertical-cavity lasers （VCL） is established, which take into account the wideband noise, the facet reflectivity and the longitudinal spatial hole-burning. Total amplified spontaneous emission （ASE） output power, the noise figure （NF）, the forward and backward ASE photon rates and ASE spectral at different input power and distributed Brogg reflector （DBR） reflectivity are numerically simulated. Results indicate that, compared with semiconductor optical amplifier （SOAs）, LOA＇s ASE noise is well clamped before gain saturation occurs, ASE noise has almost same value while input signal power increased. The clamp effect of VCL is destroyed at gain saturation, NF increases with a rate less than that of SOA. The total ASE output power decreases with increasing DBR reflectivity, but NF increases.

关 键 词：线性光放大器 放大的自发辐射噪声 垂直光场 半导体光放大器 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]