纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应  

Columb Blockade Effect of Quantum Dots in the nc-Si: H Film

作　　者：余明斌[1] 王燕[1] 刘满仓[1] 马爱华[1] 

机构地区：[1]西安理工大学理学院自动化与信息工程学院,西安710048

出　　处：《西安理工大学学报》1997年第2期118-122,共5页Journal of Xi'an University of Technology

基　　金：机械工业部科技基金;西安理工大学博士科研启动基金

摘　　要：用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明，纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。The quantum dot diode is fabricated by using nc-Si:H film. The I-V characteristic is measured, and resonant tunneling phenomenon is observed. The results show that the quantum dots in nanocrystalline silicon result in Columb blockade effect.

关 键 词：纳米硅 量子点 库仓阻塞效应 薄膜 

分 类 号：O484.3[理学—固体物理]