用添加纳米碳的机械合金化先驱粉可以进一步提高MgB_2的临界电流密度  

作　　者：刘春芳 

出　　处：《稀有金属快报》2008年第9期45-45,共1页Rare Metals Letters

摘　　要：过去已有的研究表明，添加碳是改善MgB2临界场和临界电流密度的好方法。碳的来源可以是碳粉、碳纳米管，或类似于SiC，B4C的各种碳的化合物。最近的研究表明，用添加了纳米碳的先驱粉制作的铁壳MgB2单芯带在14.3T，4．2K温度下临界电流密度Jc可以达到10^4A／cm^2。所用的先驱粉是用把Mg，B和纳米碳粉机械合金化的方法制备的。

关 键 词：临界电流密度 纳米碳粉 机械合金化 MGB2 碳纳米管 临界场 SiC 化合物 

分 类 号：TM26[一般工业技术—材料科学与工程] TB383[电气工程—电工理论与新技术]