掺硼锯齿型单壁碳纳米管的电子结构  

Electronic Structures of Boron Doped Zigzag Single-Wall Carbon Nanotubes

作　　者：宋久旭[1] 杨银堂[1] 刘红霞[1] 石立春[1] 

机构地区：[1]宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安710071

出　　处：《电子器件》2008年第5期1529-1532,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家部委预研基金资助项目(51411040105DZ0141)

摘　　要：为了研究掺硼碳纳米管的电子结构,对可能存在掺杂方式进行了结构优化,得到掺硼碳纳米管最可能的存在结构。采用密度泛函理论下的第一性原理计算,对不同掺杂浓度的最可能存在掺杂结构进行了计算,结果表明随着掺杂浓度的增加碳纳米管的能带间隙呈现增大的趋势。For studying the electronic structures, geometry optimizations of the possible existing forms of boron doped single-walled carbon nanotube （SWCNT） are implemented and the most possible existing structure in the same doping concentration is achieved. With first principles calculation based on density functional theory, the electronic structures of boron doped SWCNT are gained, the results show that the band gap of SWCNT broadens with the increase of the doping concentration.

关 键 词：掺硼 电子结构 单壁碳纳米管 第一性原理 

分 类 号：TN302[电子电信—物理电子学]