高频低造型变压器绕组导体的最佳厚度  

作　　者：胡跃全[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学精密机械与仪器系

出　　处：《电工技术》1997年第12期3-6,共4页Electric Engineering

摘　　要：利用麦克斯韦电磁场方程求得高频低造型变压器绕组导体在一定频率下的最佳厚度,即铜损值最小时的导体厚度。此结果与利用美国 Ansoft 公司的电磁场仿真软件算得的结果相一致。

关 键 词：高频 低造型 变压器 趋肤效应 邻近效应 

分 类 号：TM433.032[电气工程—电器]