a-Si：H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响  

Influence of Storage Capacitance on Character of a-Si∶H TFT OLED Driving Circuit

作　　者：李云飞[1,2] 王永生[1] 张晓龙[3] 刘宏宇[2] 王刚[2] 邵喜斌[2] 何大伟[1] 

机构地区：[1]北京交通大学光电子技术研究所,北京100044 [2]京东方科技集团股份有限公司中央研究院,北京100016 [3]吉林大学计算机科学与技术学院,吉林长春130012

出　　处：《液晶与显示》2008年第5期572-577,共6页Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.10644002)

摘　　要：对OLED两管a-Si∶H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值。The relationship between storage capacitance and life time of the OLED in a-Si： H TFT OLED driving circuit was investigated. By using theory calculation and AIM-SPICE simulation software, the influence of the storage capacitance and geometry （W/L） of switching TFT channel on charge and keep-characteristics of a-Si： HOLED was studied. The parameters of pixel design were optimized, such as the storage capacitance and geometry of TFT channel.

关 键 词：OLED 有源驱动 存储电容 充电率 

分 类 号：TN27[电子电信—物理电子学] TN304.5