反应烧结SiC陶瓷的研究进展  

PROGRESS IN RESEARCH OF REACTION BONDED SILICON CARBIDE CERAMICS

作　　者：张秀芳[1] 曹顺华[1] 邹仕民[1] 李文超[1] 谢继峰[1] 

机构地区：[1]中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙410083

出　　处：《粉末冶金工业》2008年第5期48-53,共6页Powder Metallurgy Industry

摘　　要：反应烧结是SiC陶瓷的一种重要制备工艺。本文分析了传统反应烧结工艺制备SiC陶瓷的不足,介绍了一些新型制备工艺;讨论了其烧结机理。并提出一些相关思考及展望。Reaction sintering is a promising technique for silicon carbide ceramics. Analysing the poor performance of reaction bonded silicon carbide prepared by traditional technique, some novel techniques are introduced, with sintering mechanism. Relevant considerations and perspectives are proposed.

关 键 词：反应烧结SiC 烧结机理 展望 

分 类 号：TF124.5[冶金工程—粉末冶金]