使用栅极电阻控制IGBT的开关  

作　　者：Markus Hermwille 

机构地区：[1]赛米控

出　　处：《变频器世界》2008年第10期115-116,共2页The World of Inverters

摘　　要：用于控制、调节和开关目的的功率半导体需要更高的电压和更大的电流。功率半导体的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的＋15V控制电压（VG（on））,IGBT导通,负输出电压为-5…-8…-15V时,IGBT关断。IGBT的动态性能可通过栅极电阻值来调节。栅极电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数,从电磁干扰EMI到电压和电流的变化率。因此栅极电阻必须根据具体应用的参数非常仔细地选择和优化。

关 键 词：充放电控制 IGBT 开关时间 电阻值 栅极 电磁干扰EMI 功率半导体 控制电压 

分 类 号：TM912[电气工程—电力电子与电力传动] TN322.8[电子电信—物理电子学]