2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计  

Low-Noise 2×8 ROIC Design for InGaAs/InP APD System

作　　者：黄静[1,2] 郭方敏[1] 王志亮[2] 

机构地区：[1]华东师范大学信息学院极化材料与器件教育部重点实验室,上海200062 [2]南通大学电子信息学院,江苏南通226019

出　　处：《半导体技术》2008年第11期1041-1043,共3页Semiconductor Technology

基　　金：科技部重大项目资助(2006CB932802);南通大学自然科学项目资助(07Z039)

摘　　要：对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、积分电容等进行了设计。电路采用0.6μm CMOS工艺流片,芯片面积为2 mm×2 mm,电荷存储能力为5×107个,功耗小,噪声低,设计达到预期要求。An approach benefits design of readout integrate circuit （ROIC） for the In0.53 Ga0.47 As/InP avalanche photodiodes （APD） detector was proposed. As a key step in incremental effort to construct large format IR arrays, a 2 × 8 ROIC was designed which mainly contains the capacitor feedback transimpedance amplifier （CTIA） and correlated double sampling （CDS） structure. The circuit was fabricated by 0.6 μm CMOS technology. The size of ROIC is 2 mm × 2 mm, and the charge storage capacity is 5 × 10^7. The results indicate the ROIC has high capability and low noise performance as expected.

关 键 词：InGaAs/InP雪崩光电二极管探测器 低噪声读出电路 电容反馈互阻放大器 

分 类 号：TN312.7[电子电信—物理电子学] O431[机械工程—光学工程]