浅析大功率GaAs FET器件偏置电路设计  

作　　者：Raymond Basset 罗先志(译) 吕高庆(校) 冯皓(校) 

出　　处：《空载雷达》2008年第3期58-67,共10页

摘　　要：半导体厂商往往花很多精力来设计高功率射频GaAs FET器件并使它们达到匹配，但很少顾及偏压技术。经验表明，很多放大器设计者都要花大量时间来试图解决放大器的稳定问题。造成这些问题的原因是高功率器件栅极引脚面积很大以及因此出现的较大跨导。在设计高功率器件时必须解决偏压电路、开通和关断等几个特有的问题。

关 键 词：看极偏压 源极偏压 推挽偏压 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学] TK124[动力工程及工程热物理—工程热物理]