考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型  

A VBIC Model with Voltage-Dependent Carrier Velocity and Depletion-Layer Thickness

作　　者：葛霁[1] 金智[1] 刘新宇[1] 程伟[1] 王显泰[1] 陈高鹏[1] 吴德馨[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第11期2270-2274,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)~~

摘　　要：针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程.将得到的渡越时间方程内嵌到VBIC模型中,改进的模型提高了GaAs基HBT多电压偏置下S参数的拟合精度,其在很宽的电压范围内均与实际测试结果符合良好.The voltage-dependent carrier velocity and the depletion-layer thickness in the collector of a GaAs-based HBT have been investigated. The formulation of the voltage-dependent collector transit time has been established. An improved vertical bipolar intercompany （VBIC） model with the collector transit time has been developed. The model more accurately predicts S-parameters over a wide range of the bias voltage than the VBIC model.

关 键 词：载流子速度 耗尽层宽度 集电区渡越时间 VBIC模型 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]