日本理研等开发出高载流子迁移率的液晶性有机半导体  

出　　处：《化工新型材料》2008年第11期115-115,共1页New Chemical Materials

摘　　要：日本理化学研究所、东京大学和高亮度光科学研究中心（JASRI）成功开发出了载流子迁移率为0．27cm^2／Vs，比此前的最高值还要高10倍的液晶性有机半导体。在室温下呈柔软状态的液晶有机半导体，具有容易制作大面积薄膜的加工成形特性，但与结晶性材料相比，也存在着电子传输特性较差的问题。在进行分子结构设计时，东大的研究小组选用了与叶绿素结构类似的“缩环卟啉铜复合体”有机分子。

关 键 词：载流子迁移率 有机半导体 液晶性 开发 日本 电子传输特性 分子结构 化学研究所 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] TN304.5