稳态层片共晶生长——Ⅱ.实验研究  

作　　者：姚向东[1] 黄韬[2] 周尧和[2] 胡壮麒[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所,沈阳110015 [2]西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1997年第1期24-28,共5页

基　　金：国家自然科学基金;国家教育委员会优秀年轻教师奖励基金

摘　　要：透明模型共晶合金系统CBr_4-质量分数为11.1％C_2l_1的强制性共晶生长实验表明:稳态层片共晶生长界面宏观上是平界面,随生长速度增大,平均共晶相间距减小。对一确定的生长速度,系统不是选择单一的相间距,而是存在一个相间距选择范围,而且选择范围的宽窄随生长速度增大而减小。实验值和文中提出的模型相当吻合。最大选择间距对经典的JH和Trivedi模型有较大偏差。

关 键 词：强制性生长 晶体生长 层片共晶生长 共晶生长 

分 类 号：O78[理学—晶体学]