Cu双晶循环形变饱和位错结构  

作　　者：胡运明[1] 王中光[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳110015

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1997年第5期618-624,共7页

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：用透射电子显微镜(TEM)研究了3种Cu双晶循环形变饱和位错结构,双晶标记为[135]/[135],[235]/[235]以及[345]/[117].观察表明,双晶的饱和位错结构与其循环应力-应变响应一致。在[135]/[135],[235]/[235]平行晶界双晶循环应力-应变曲线(CSS曲线)平台区,饱和位错结构基本上由驻留滑移带(PSB)的梯状结构和基体的脉络结构组成。在平台区以上,其位错结构为胞结构或迷宫结构。对于CSS曲线不呈现平台的[345]/[117]垂直晶界双晶,低应变幅下,[345]组元中的位错结构由脉络结构组成,[117]组元中位错结构主要由发展不完全的迷宫组成,还形成少量的不规则的PSB梯状结构。高应变幅下,在[345]组元中形成胞结构,[117]组元中形成迷宫结构。

关 键 词：铜 双晶 循环形变 饱和位错结构 

分 类 号：O614.121[理学—无机化学]