磁性多层膜巨磁电阻效应与磁构形的依赖关系  

作　　者：张凌云[1] 李伯臧[1] 孙虹 蒲富恪[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所 [2]中国科学院化学研究所分子反应动力学国家重点实验室,北京100080

出　　处：《中国科学（A辑）》1997年第12期1101-1105,共5页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：将磁性多层膜的界面和体效应在统一模型下进行了研究,由此建立了磁性多层膜体系与磁构形相关的模型Hamilton量.通过求解磁性多层膜这一非均匀体系的电子自能,获得了巨磁电阻与磁构形的依赖关系,结果表明这一依赖关系既可能是线性的也可能是非线性的,它主要受磁性层和界面层的厚度影响,另外有效交换势对巨磁电阻的影响也是非常重要的.

关 键 词：磁性多层膜 巨磁电阻效应 磁化构形 

分 类 号：O482.51[理学—固体物理]