纳米SnO_2的Raman光谱研究  

作　　者：熊永红[1,2] 熊曹水[1] 朱弘[1] 张裕恒 熊永红[1,2] 刘玉龙 

机构地区：[1]中国科学技术大学结构分析开放实验室 [2]中国科学技术大学基础物理中心,合肥230026 [3]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《中国科学（A辑）》1997年第10期936-940,共5页Science in China(Series A)

基　　金：国家科学技术委员会;和安徽省自然科学基金资助项目

摘　　要：利用Raman光谱和X射线衍射系统地研究了纳米SnO_2的微观结构和空间对称性与退火温度的关系,并与非晶SnO_2薄膜和单晶的结果进行了比较.发现,Raman新峰N_1和N_2完全遵循Matossi力常数模型,退火温度接近673K时,纳米微粒内局域无序和晶格空位密度迅速下降,晶格畸变和Raman新峰几乎同时消失.并对Raman新峰N_1和N_2与纳米SnO_2的微观结构的变化进行了深入的探讨.

关 键 词：纳米材料 氧化锡 散射谱 微观结构 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]