化学沉积法低温生长锰钴镍薄膜结晶性及红外椭偏光谱研究  

INFRARED SPECTROSCOPIC ELLIPOSIMETRY AND CRYSTALLIZATION OF MANGANESE COBALT NICKELATE FILMS PREPARED BY CHEMICAL DEPOSITION AT LOW TEMPERATURE

作　　者：葛玉建[1] 黄志明[1] 侯云[1] 覃剑欢[1] 李天信[1] 褚君浩[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《红外与毫米波学报》2008年第6期413-416,共4页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家重点基础研究发展规划(973)(2007CB924901);国家自然科学基金(60407014;60527005;607077022);上海市启明星(06QH14018;06QH14056)资助项目

摘　　要：使用化学沉积方法，在600℃温度下，成功制备锰钴镍（MnxCoyNi3-x-yO4（MCN）薄膜．传统的固熔烧结工艺合成MCN材料需要的温度条件约为1050—1200℃，这一温度相比，本文的方法使合成温度降低了许多．随着退火后处理温度从600℃升高到900℃，MCN薄膜的晶粒尺寸大小从20nm增大到50nm．同时还利用红外椭偏光谱测量获得MCN薄膜的介电常数和吸收系数．Manganese cobalt nickelate films （Mnx Coy Ni3- x-y ） （MCN） were successfully prepared by chemical deposition method at the crystallization temperature of 600℃, which was greatly reduced from the traditional sintered temperature of 1050 - 1200℃. Our results show that the grain size of MCN films increases from 20 to 50 nm with the annealing temperature increasing from 600℃ to 900℃. The real part ε1 and imaginary part ε2 of the dielectric constants and absorption coefficients of MCN thin films were determined by infrared spectroscopic ellipsometry （IRSE）.

关 键 词：X射线衍射 原子力显微镜 红外椭偏光谱 

分 类 号：O484.441[理学—固体物理]