一种SOI-RFLDMOS器件的设计  

A design of SOI-RFLDMOS device

作　　者：吴丽娟[1,2] 李泽宏[1] 张波[1] 李肇基[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054 [2]成都信息工程学院通信工程系,成都610225

出　　处：《西南民族大学学报（自然科学版）》2008年第6期1227-1232,共6页Journal of Southwest Minzu University(Natural Science Edition)

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60436030)资助项目;成都信息工程学院科研基金(批准号:CRF200827)资助项目

摘　　要：设计了一种基于SOI的RFLDMOS功率器件,建立了该器件的信号模型,分析了该器件的静态参数、动态参数和功率输出特性.借助仿真器,得到所研制的SOI-RFLDMOS耐压为95.9V、频率945MHz、输出功率30W、功率附加增益16.06dB等.In this paper, a power device of RFLDMOS based on SOl is designed, a signal model of the device is set up to analyze the static, dynamic and power output characteristics of the device. Some parameters of the device, such as breakdown voltage of 95.9 V, frequency of 945 MHz, output power of 30 W, additional power gain of 16.06 dB are obtained by using numerical simulations.

关 键 词：SOI-RFLDMOS 功率增益 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]