静电感应晶闸管的I-V特性物理分析  

Physical Analysis of Static Induction Thyristor's I-V Characteristic

作　　者：魏万印[1] 刘肃[1] 李海蓉[1] 

机构地区：[1]兰州大学,甘肃兰州730000

出　　处：《电力电子技术》2008年第12期23-25,共3页Power Electronics

基　　金：甘肃省自然科学基金资助项目(3ZS051-A25-034)~~

摘　　要：考虑到寿命不等时的双注入效应、载流子寿命,特别是少子空穴寿命的变化、电导调制效应、双注入空间电荷限制效应等因素,对静电感应晶闸管(Static Induction Thyristor,简称SITH)在正向阻断态的整个I-V特性进行了分段物理分析,给出了理论解释并进行了计算,得出的结论与实验观测结果相吻合。Considering the carriers double injection effect, space charges limited effect, the variety of carrier lifetime etc., the paper analyzes the whole regions of SITH＇s I-V characteristics in the forward direction blocking state and gives physical explanations and calculations theoretically.The conclusion is accord with the experiment results.

关 键 词：晶闸管 伏安特性/双注入 空间电荷限制效应 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]