La掺杂n型Mg_2Si基半导体的热电性能研究  

Thermoelectric properties of n-type La-doped Mg2Si based semiconductors

作　　者：张倩[1] 朱铁军[1] 殷浩[1] 赵新兵[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027

出　　处：《功能材料》2008年第12期2008-2010,2014,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2007CB607502);国家自然科学基金资助项目(50731006;50522203)

摘　　要：采用感应熔炼然后热压的方法制备了La掺杂Mg2Si基热电材料Mg2-xLaxSi(x=0、0.002、0.005、0.010、0.015)。La在Mg2Si中占Mg位,当x≥0.005时,出现第二相LaMg。性能测试表明,Mg2-xLaxSi的导电类型为n型,Seebeck系数的绝对值随La含量的增多而减小,电导率和热导率均随La含量的增多而增大,在测试温度范围内,Mg1.995La0.005Si具有最高的ZT值,在774K温度下达到0.42。Mg2-xLaxSi（x=0, 0.002, 0. 005, 0.010, 0.015） was prepared by induction melting and hot-pressing.It was found that La atoms preferentially occupy Mg sites, and the trace of LaMg phase occurs when x≥0. 005. Property measurements indicate an n-type conduction mechanism for Mg2-xLaxSi. With increasing La content,the electrical and the thermal conductivity increase, while the absolute value of Seebeck coefficient decreases. A dimensionless figure of merit ZT about 0.42 at 774K is attained for Mgl. 995 La0.005 Si.

关 键 词：热电材料 MG2SI 掺杂 La 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学] TG132.2[一般工业技术—材料科学与工程]