5 GHz无线局域网的锗硅异质结晶体管功率放大器  

SiGe HBT Power Amplifier for 5 GHz WLAN

作　　者：李文渊[1] 顾洵[1,2] 

机构地区：[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096 [2]东南大学集成电路学院,南京210096

出　　处：《电子器件》2008年第6期1761-1764,1768,共5页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：采用IBM 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种应用于5 GHz无线局域网的射频功率放大器。功率放大器工作在A类状态,由两级共发射极放大电路组成,并利用自适应偏置技术改善了功放的线性度。输入输出和级间匹配网络都采用片内元件实现。在3.3 V的电源电压下,模拟得到的功率增益为32.7 dB;1 dB压缩点输出功率为25.7 dBm;最大功率附加效率(PAE)为15%。A design of RF power amplifier for 5 GHz wireless local area network （WLAN） systems is presented in IBM 0. 35 μm SiGe BiCMOS technology. The power amplifier works in class-A type. It is implemented in two common-emitter stages with adaptive bias circuit which is used to improve linearity. Input, output and inter-stage matching networks utilize on-chip passive components. With a supply voltage of 3. 3 V, its power gain is 32. 7 dB, P1-dB is 25. 7 dBm, the maximum Power Added Efficiency （PAE） is 15%.

关 键 词：功率放大器 无线局域网 锗硅异质结双极型晶体管 自适应偏置 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]