利用气体吸收池光电流信号稳定InGaAsP半导体激光器频率  

Study of the Frequency Stabilization of InGaAsP Semiconductor Laser Using the Optogalvanic Effect of a Gas Absorption Cell

作　　者：王瑞峰[1] 蔡伯荣 胡渝[1] 洪永和 任文华 

机构地区：[1]电子科技大学光电子技术系

出　　处：《中国激光》1998年第1期37-40,共4页Chinese Journal of Lasers

基　　金：电子科学研究院预研基金

摘　　要：采用光吸收作用使放电气体吸收池电流改变，即“光电压”信号作为频率标准，对ＩｎＧａＡｓＰ长波长半导体激光器进行稳频。The preliminary result of the frequency stabilization of an InGaAsP semiconductor laser using the optogalvanic effect of a gas absorption cell is reported. The optogalvanic signal of the discharge absorption cell is used as a frequency standard.

关 键 词：半导体激光器 放电吸收池 光电流效应 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]