影响碲镉汞晶体电子迁移率的主要因素  

Main Factors of Influence on Electron Mobility of HgCdTe Crystals

作　　者：萧继荣[1] 林杏朝[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所

出　　处：《红外技术》1998年第1期13-14,共2页Infrared Technology

摘　　要：通过把迁移率的实测值与影响ＨｇＣｄＴｅ晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比。The reduction of electron mobility of HgCdTe at 77K is mainly due to dislocation scat tering. It was proved by a comparison between measured mobility and mobility deduced from basic scattering mechanism.

关 键 词：碲镉汞 电子迁移率 位错 红外光学材料 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]