近场光学显微法研究CdS及CdSxSe1-x一维纳米结构光学传输特性  

作　　者：王笑[1] 刘丹[1] 潘安练[2] 方哲宇[1] 黄珊[1] 朱星[1,3] 

机构地区：[1]北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京100871 [2]湖南大学微纳技术研究中心,长沙410082 [3]国家纳米科学中心,北京100190

出　　处：《中国科学（G辑）》2008年第11期1524-1530,共7页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10574002,90406007,50602015);国家重点基础研究发展计划(编号:2007CB936800)资助项目

摘　　要：利用扫描近场光学显微系统,研究了CdS及CdSxSe1-x一维纳米结构的荧光传输特性.实验表明光致荧光可以在直的或者弯曲的一维纳米结构中传输,并实现在纳米结构的端部出射.根据在不同激发光强度下的CdS纳米带端部的三维扫描近场光学像,分析了随着激发光强度增加,纳米带可能出现的受激发射现象.通过近场扫描成像,分析了CdSxSe1-x一维纳米结构光致荧光在结构端部的光出射现象.对于不同组分的CdSxSe1-x一维纳米结构分别测其原位以及传导一定距离之后的光致荧光谱,观测到红移现象.分析表明,红移是由于荧光在纳米结构的传输中的吸收效应造成的.对于CdS及CdSxSe1-x一维纳米结构的光学传输的研究,有助于发展新型功能的纳米器件.

关 键 词：近场光学 一维纳米结构 光致荧光 CDS 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]