含V和Cu的TiAl基合金中缺陷和3d电子行为的正电子湮没研究  

作　　者：邓文[1] 陈真英[1] 江海峰[1] 孙顺平[1] 祝莹莹[2] 黄宇阳[1] 

机构地区：[1]广西大学物理科学与工程技术学院 [2]河南理工大学理化系,焦作454000

出　　处：《中国科学（G辑）》2008年第8期1016-1022,共7页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50361002);广西科学研究与技术开发计划(编号:0480004);广西大学科学技术研究重点项目(编号:2003ZD04)资助

摘　　要：通过测量过渡金属元素(Ti,V,Cu)以及TiAl基合金(Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Cu2)的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得了这些金属及合金中3d电子和缺陷的信息.结果表明,过渡金属元素Ti,V,Cu原子中3d轨道的电子数目越多,正电子湮没辐射Doppler展宽谱的3d信号越强.二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入V或Cu,合金中的3d电子信号增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cu2合金的多普勒展宽谱的3d电子信号高于Ti50Al48V2合金.

关 键 词：TIAL合金 3d电子 缺陷 正电子湮没 

分 类 号：TG146.23[一般工业技术—材料科学与工程]